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Datasheet下载- 型号： IPB200N25N3 G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IPB200N25N3 G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB200N25N3 G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPB200N25N3 G价格参考以及InfineonIPB200N25N3 G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPB200N25N3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IPB200N25N3 G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3MOSFET N-channel POWER MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 64 A |
| Id-连续漏极电流 | 64 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB200N25N3 GOptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971 |
| 产品型号 | IPB200N25N3 G |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Qg-GateCharge | 64 nC |
| Qg-栅极电荷 | 64 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 270µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7100pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 64A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 其它名称 | IPB200N25N3 G-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 122 S, 61 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 64A （Tc） |
| 系列 | IPB200N25 |
| 零件号别名 | IPB200N25N3GATMA1 SP000677896 |
